天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471899A。

本发明提供了一种基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法。本发明通过两次多晶硅生长刻蚀工艺，使得所形成的栅氧化层以及栅极的膜层厚度满足MOSFET器件的相应工艺厚度要求的同时，所形成的浅沟槽隔离结构的顶面高于半导体衬底的表面，浅沟槽隔离结构的侧壁与栅氧化层相接触，能够避免在后续刻蚀第二多晶硅层过程中对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的破坏，实现对浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层的保护，增加浅沟槽隔离结构顶角区域处的栅氧化层工艺厚度，最终优化TDDB的可靠性，使得MOSFET器件拥有更高的击穿电压以及更长的可靠性寿命。