天眼查显示，上海积塔半导体有限公司近日取得一项名为“基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片”的专利，授权公告号为CN112968060B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2019年11月27日。

本发明公开了一种基于BCD工艺的全隔离LDNMOS的制作方法及芯片，全隔离LDNMOS包括P型衬底、高压N阱、N型漂移区、若干STI、P型体区、源区、漏区、闸极和N型漂移区的全隔离区；制作方法包括以下步骤：利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成N型漂移区的全隔离区。本发明利用LDPMOS的P型漂移区的制作步骤生成全隔离LDNMOS的N型漂移区的全隔离区，省去了传统全隔离LDNMOS中需要利用一层光罩采用高能注入的形式单独形成P型埋层作为N型漂移区的全隔离区的步骤，通过简化工艺步骤降低了制造成本，并且通过RESURF效应改善了LDNMOS的导通电阻，保证击穿电压以及导通电阻均可以匹配传统全隔离LDNMOS的表现。