1.士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
2.长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
3.万集科技获颁5项发明专利，涉及ETC、智能网联等领域
4.铭普光磁一专利获授权，能够增加频宽且阻抗比不再局限于1：1
5.安培龙一专利获认证，旨在提高六维力传感器稳定性
1.士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN109650326B，授权公告日为2024年10月11日，申请日为2018年12月27日。
本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成质量块；去除部分质量块形成第一凹槽；经由第一凹槽去除部分牺牲层形成到达第一衬底的表面的空腔；在质量块上形成第一键合区；形成保护膜，保护膜覆盖第一键合区、质量块与第一衬底的表面以及第一凹槽的侧壁；以及去除部分保护膜，其中，在去除保护膜的步骤中，位于第一凹槽的侧壁的保护膜、位于质量块与第一衬底相对的表面的保护膜以及位于第一衬底表面的保护膜因被质量块遮挡而被保留。该制造方法在去除保护膜的步骤中，清洁第一键合区上的保护膜，达到了提高封装质量的目的。
2.长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
天眼查显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近日取得一项名为“半导体材料生长速率的测试方法”的专利，授权公告号为CN118168882B，授权公告日为2024年10月11日，申请日为2024年5月14日。
本发明提供一种半导体材料生长速率的测试方法，包括：对半导体衬底层进行刻蚀之后，在半导体衬底层的表面交替外延第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层均包括相同的主半导体材料；第一半导体层的导电类型和第二半导体层的导电类型不同；或者，第一半导体层还包括第一掺杂离子，第二半导体层还包括第二掺杂离子，第一掺杂离子的浓度和第二掺杂离子的浓度不同；沿晶向进行切割，形成切割面；对切割面进行显微镜测试，获取不同晶向对应的第一半导体层和/或第二半导体层的测试厚度；根据不同晶向对应的测试厚度、以及第一半导体层和/或第二半导体层的外延时间获取不同晶向的生长速率。
3.万集科技获颁5项发明专利，涉及ETC、智能网联等领域
11月5日，万集科技发布公告称，近日公司获得国家知识产权局颁发的五项发明专利证书。
专利“车辆轴数确定方法、装置、系统及存储介质”的申请号为ZL202111439228.7，业务方向为称重。
专利“用于ETC系统的付费方法、相关产品及ETC系统”的申请号为ZL202211742053.1，业务方向为ETC。
专利“车载称重系统的监测方法及装置、存储介质、电子装置”的申请号为ZL202111670448.0，业务方向为称重。
专利“背景点云滤除方法、装置、计算机设备和存储介质”的申请号为ZL202010777027.7，业务方向为智能网联。
专利“多基站协同感知方法、装置、计算机设备和存储介质”的申请号为ZL202011018672.7，业务方向为智能网联。
万集科技表示，上述专利的取得是公司坚持持续创新的新成果，上述专利的取得不会对公司近期生产经营产生重大影响，但有助于促进公司持续创新能力，充分发挥公司的知识产权优势，进一步完善公司的知识产权体系，保持技术领先地位，提升公司的核心竞争力。
4.铭普光磁一专利获授权，能够增加频宽且阻抗比不再局限于1：1
11月6日，铭普光磁发布公告称，公司于近日取得一项中华人民共和国国家知识产权局颁发的发明专利证书，专利名称为“一种变压器及电子设备”，专利号ZL 202010500480.3。
本发明提供一种变压器及电子设备，包括底座以及固定在底座上的传输线变压器和阻抗变换器；底座上设有输入端脚、输入接地端脚、第一输出端脚、第二输出端脚及输出接地端脚；阻抗变换器包括第一磁芯以及缠绕在第一磁芯上的第一线圈、第二线圈、第三线圈、第四线圈；第一线圈及第二线圈的输入端与第五线圈的输出端相连接；第二线圈的输出端与第一输出端脚相连接；第三线圈及第四线圈的输入端与第六线圈的输出端相连接；第四线圈的输出端与第二输出端脚相连接；第一线圈的输出端及第三线圈输出端与输出接地端脚相连接。本发明提供的变压器增加了频宽且阻抗比不再局限于1：1。
铭普光磁表示，该发明专利的取得不会对公司生产经营造成重大影响，但有利于充分发挥公司自主知识产权优势，完善知识产权保护体系，对公司开拓市场及推广产品产生积极的影响，形成持续创新机制，提升公司核心竞争力。
5.安培龙一专利获认证，旨在提高六维力传感器稳定性
11月5日，安培龙发布公告称，公司于近日收到国家知识产权局颁发的1项《发明专利证书》，发明名称为“基于数据分析的六维力传感器稳定性测试方法”，专利号为ZL 2024 1 1124261.4。
安培龙表示，本项发明专利为公司自主研发的在研产品的核心技术。本发明专利涉及六维力传感器稳定性测试技术领域，具体涉及基于数据分析的六维力传感器稳定性测试方法，通过采集六维力传感器在各维度的输出数据、确定各维度各周期的数据异常度、筛选各维度出现异常波动的周期等，旨在提高六维力传感器的稳定性及测试结果的准确度。
本次取得的发明专利不会对公司目前的经营状况产生重大影响。但有利于公司发挥产品的自主知识产权优势，对提升企业核心竞争力、促进市场拓展及研发创新等方面都具有重要意义。
