【编者按】2024年，集成电路行业在变革与机遇中持续发展。面对全球经济的新常态、技术创新的加速以及市场需求的不断变化，集成电路企业如何在新的一年里保持竞争力并实现可持续发展？为了深入探讨这些议题，《集微网》特推出展望2025系列报道，邀请集成电路行业的领军企业，分享过去一年的经验与成果，展望未来的发展趋势与机遇。 
本期企业视角来自：Tokyo Electron (TEL)
在人工智能（AI）热潮以及新能源汽车市场的带动下，2024年全球半导体销售额预计将同比增长16%，达到创纪录的6112亿美元。这也推动了对于半导体制造设备的需求，SEMI预计2024年全球半导体设备市场规模将有望同比增长6.5%，达到1130亿美元，2025年全球半导体设备市场规模将比同比增长7.1%至约1210亿美元，2026年将进一步增长到1390亿美元。
TEL指出，虽然针对先进逻辑制程的投资有所放缓，但在人工智能需求更加旺盛的加持下，WFE(晶圆制造设备)市场发展良好，超过了2024年初的预期。目前，对人工智能服务器的投资将继续保持强劲势头，这部分资本支出约占整个WFE支出的15%，同比增长高达1.5倍，其中约一半用于HBM应用。与此同时，面向搭载人工智能的个人电脑和智能手机的提前投资也已启动，在WFE投资占比也增加到了15%。在极其强劲的人工智能需求的推动下，DRAM（尤其是HBM）的投资尤为活跃。先进逻辑/晶圆代工方面，投资主要集中在工艺微缩（如4纳米、3纳米和2纳米）和大规模量产，当然先进封测的需求在快速增长。
人工智能的应用，离不开最先进的半导体技术的强力支撑。技术创新的不断演进，推动了半导体器件向更大容量、更高速度和更低功耗的方向发展。在此背景下，TEL重点关注全环绕栅极（GAA）、晶圆背面供电网络（Backside PDN）和高带宽存储器（HBM）等技术热点。2024年，TEL多款设备和技术都取得了市场良好的反馈，其中包括面向DRAM的High-k薄膜沉积设备、面向NAND的24腔单晶圆清洗设备及适用于HBM的临时键合设备和适用于最先进逻辑（Backside PDN）的键合设备等等。
此外，TEL的新型低温刻蚀技术自2023年推出以来，备受市场关注，该技术适用于400层以上3D NAND闪存加工过程，实现高深宽比刻蚀。与传统技术相比，刻蚀超过10μm深孔的速度提升2.5倍，功耗降低40%以上。此外，该技术用HF取代了91%的CF系气体，与上一代设备相比，保持同等以上工艺性能的前提下减少了80%的碳足迹。这款新型低温刻蚀设备，已被多家晶圆代工厂采用，取得重大进展。
随着人工智能热潮持续，AI生态建设将引爆行业发展机遇。TEL强调，“全球半导体市场规模到2030年将增长到1万亿美元”这一观点已成为行业共识。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha也预测，到2050年，半导体市场的估值将增长到惊人的5万亿美元，市场规模将比2023年增长10倍。
展望2025年，TEL认为除了人工智能服务器一如既往的强劲需求外，个人电脑和智能手机中的人工智能搭载率也将上升，有望增至总量的40%。根据研究机构预测，2030年人工智能半导体在半导体器件中的比例将增长到70%，因此，人工智能在WFE市场中的应用也将逐步上升。
在这些市场的驱动下，继DRAM投资恢复后，随着库存调整的进行，NAND投资也有望恢复。先进逻辑/晶圆代工的资本支出有望切实复苏，以抵消成熟节点投资的低迷。TEL预计，这些因素将推动2025年WFE市场实现两位数增长。
