据媒体报道，三星电子已获准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片。知情人士透露，三星的8层HBM3E在2024年12月获得英伟达批准。
英伟达的批准由来已久，因为三星正在努力追赶韩国同行芯片制造商SK海力士，后者一直是英伟达供应最先进HBM以搭配其AI芯片的首选合作伙伴。
对此，三星和英伟达的代表均拒绝置评。
尽管进展有限，但三星仍有望缩小与SK海力士的差距，后者通过比美光科技等竞争对手更早推出前沿HBM芯片，不断扩大其领先优势。SK海力士在2024年初率先大规模生产8层HBM3E，并在去年年底前后开始供应更先进的12层芯片。
去年，三星芯片部门负责人Jun Young-hyun因令人失望的业绩而道歉，并承认在获得英伟达认证方面存在延误。
在Jun Young-hyun的领导下，三星重组了工程师团队，并加大了研发支出，希望凭借下一代HBM芯片（即HBM4）扭转其市场地位。三星和SK海力士都希望成为英伟达HBM4芯片的主要供应商，并计划在下半年开始大规模生产。
