据天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“提升芯片良率和可靠性的方法”专利公布，申请公布日为2024年12月31日，申请公布号为CN119229936A。

本发明提供一种提升芯片良率和可靠性的方法，提供至少一个lot的晶圆，晶圆包括多个芯片，各个芯片上包含有多个包括闪存的存储单元；进行晶圆接受测试，记录每片晶圆的存储单元为编程状态时的阈值电压；把lot的编号、晶圆的编号以及对应的晶圆的存储单元为编程状态时的阈值电压生成附加文件；进行良率测试和编程电压调整：将附加文件代入第一良率测试，在一良率测试中继承晶圆的存储单元为编程状态时的阈值电压作为参数进入之后的编程电压调整流程；进行编程电压调整流程；进行第二良率测试，在第二良率测试中根据测试结果调整阈值电压的调整公式。本发明能够根据工艺差异微调编程条件，以获得最适合的工作条件，提升良率和可靠性。