2025年2月18日下午，中国科学院半导体研究所与华中科技大学在华中科技大学举行了“黄昆英才基地”合作协议签署仪式。本次合作旨在通过整合双方的优势资源，共同推动半导体学科领域的创新青年人才培养。
华中科技大学校长助理、本科生院院长文劲宇表示，华中科技大学始终将人才培养作为学校的核心任务，始终致力于服务国家战略需求。本次“黄昆英才基地”的建设，将进一步推进双方优势互补、资源共享、学科共建，加快创新拔尖人才的培养，不断促进半导体领域的科研合作与人才培养。
中国科学院半导体研究所所长谭平恒表示，通过与华中科技大学的深度合作，双方将共同培养出更多在半导体物理、材料、器件及集成电路等领域具有国际影响力的创新型人才。
据悉，根据协议，未来“黄昆英才基地”将通过在华中科技大学物理学院、光学与电子信息学院等相关专业的优秀本科生中进行选拔，为学生提供丰富的科研实践机会，培养具有扎实专业知识和创新精神的高层次人才。此外，半导体所还设立了“黄昆奖学金”，奖励在“黄昆英才基地”中表现优异的学生。
“黄昆英才基地”命名以我国著名物理学家、教育家、半导体所原所长黄昆先生命名，旨在推动高校与科研院所之间的深度合作，探索本科生人才培养新模式。项目不仅将高等院校的教学优势和科研院所的科研优势相结合，还将有效促进科技创新与人才培养的结合，有力推动半导体领域人才培养体系的创新与发展，进一步夯实半导体科技自立自强的人才根基。
