近日，由中国集成电路创新联盟主办的第八届“集成电路产业技术创新奖”评选结果正式揭晓。华润微电子研究院与代工事业群华润上华新型铪基铁电材料器件IP开发和产业化凭借在先进垂直型铪基铁电存储器(VFeRAM)领域的技术突破，荣获技术创新奖，彰显了公司在新型存储器技术研发及产业化方面的领先地位。

“技术突破引领新型存储器创新发展”

VFeRAM(Vertical Ferroelectric RAM)是一种基于铪基铁电材料的新型非易失性存储器技术，兼具高速读写、低功耗、高稳定性等优点，被视为下一代嵌入式存储的关键解决方案。华润微电子自主研发的VFeRAM技术，通过创新型垂直结构设计，成功突破传统铁电存储器（FeRAM）面临的集成度瓶颈，显著提升存储密度和数据保持能力，广泛适用于人工智能、物联网（IoT）、边缘计算及高安全性芯片等领域。

“持续创新推动存储产业升级”

作为国内领先的半导体企业，华润微电子始终坚持自主可控的创新路线，积极推动新型存储器技术的国产化及规模化应用。此次获奖，不仅是行业对华润微电子技术创新能力的认可，更将激励公司加快VFeRAM的商业化进程，助力中国半导体存储产业迈向更高水平。

未来，华润微电子将继续深耕高性能存储器及先进半导体技术，与产业链合作伙伴携手，共同推进中国集成电路产业的技术突破与可持续发展，为全球科技创新贡献“中国智造”力量。