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兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash, 突破性读取速度,助力应用快速启动

作者: 爱集微 04-15 11:11
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来源:兆易创新GigaDevice #兆易创新# #芯片#
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今日,兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。

GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点,支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压,以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式,为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比,GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式,实现复杂ECC算法的并行计算,这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz,在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz,在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下,GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍,该设计优势可有效提高器件的数据访问效率,显著缩短系统启动时间,进一步降低系统功耗。

为了解决传统NAND Flash的坏块难题,GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系,从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面,传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块,若这些坏块出现在前部代码区,将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能,可确保前256个Block均为出厂好块,进而保障代码区的稳定性。另一方面,在使用过程中,NAND Flash可能出现新增坏块,传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换,造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址,使损坏的坏块地址重新可用,并且仅需预留最小限度的冗余Block,该功能不仅显著提高了资源利用率,还有效简化了系统设计。

“目前,SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢,已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”,兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示,“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出,为市场中树立了新的性能标杆,该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足,并为坏块管理提供了新的解决方案,可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来,兆易创新还将持续打磨底层技术,为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”

目前,兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择,并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价,请联系当地销售代表。


责编: 爱集微
来源:兆易创新GigaDevice #兆易创新# #芯片#
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