中国台湾计划加强对先进制程技术出口以及对外半导体投资的管控。新的法律措施将强制执行“N-1”技术限制，实质上禁止台积电出口其最新生产节点，并对违规行为处以罚款。然而，新规对台积电而言存在重大变数。

中国台湾行政院负责人卓荣泰确认的“N-1”政策将适用于台积电计划在美国的生产。该政策限制了最先进制程技术的出口，只允许其将较先进的制程技术部署到海外。

在此修订之前，中国台湾法规并未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控。这些规定基于修订后的《产业创新法》第22条，预计将于2025年底生效。

台积电最先进制程技术存在重大变数。目前，台积电拥有一个尖端节点：N3P（3nm）制程。但到今年年底，台积电将开始采用N2（2nm）制程生产芯片，这将成为其旗舰技术。

然而，从2026年底开始，台积电预计将拥有两个旗舰节点：面向不需要高级供电的客户端应用的N2P，以及面向高功耗HPC（高性能计算）应用的配备Super Power Rail背面供电的A16（1.6nm）工艺。

中国台湾将视哪项制程技术为“旗舰”并因此限制出口，或者在台积电推出N2P和A16的后续产品（即A14和A16P节点）时，中国台湾是否会在一年内禁止这两个节点的出口，目前仍有待观察。

中国台湾经济部门表示，该法规施行日期将在修订细则后六个月内公布。这意味着最早可能在2025年底开始实施。该法规的推出正值地缘政治风险上升之际，此前台积电宣布计划将其在美国产能的投资额从四年内的650亿美元增加到1650亿美元，具体时间未披露。

该修正案还引入了以前没有的处罚措施。未经事先批准在海外投资的公司可能面临5万~100万元新台币（30830美元，约合人民币22.5万元）的罚款。如果投资已获批准，但公司后来未能纠正已发现的违规行为——例如危害安全或损害经济发展——当局可处以50万~1000万元新台币（308286美元，约合人民币225万元）的重复罚款。但考虑到台积电计划在美国工厂投资1650亿美元，30万美元的罚款几乎不会影响该公司的利润。（校对/张杰）