台积电、英特尔与三星竞逐制程技术，持续受到各界瞩目。相较于英特尔将于2026年量产18A时导入高数值孔径极紫外光技术，台积电2028年量产A14制程仍不会采用，两大厂策略大不同，主要是台积电基于成本效益考量。

英特尔（Intel）前执行长季辛格（Pat Gelsinger）先前认为，反对使用艾司摩尔（ASML）的极紫外光（EUV）设备是错误决策，拖累英特尔晶圆代工事业欠缺能力。使得外界高度关注英特尔与台积电导入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备进展，并视为双方竞逐制程技术的指标。

台积电在去年技术论坛释出A16制程不会采用High-NA EUV设备的消息，当时全球业务资深副总经理暨副共同营运长张晓强说，他喜欢High-NA EUV设备的性能，但不喜欢它的价格，成本非常高。

英特尔则传出已全数包下ASML当年预计制造的5台High-NA EUV设备，与台积电策略大相径庭，引发各界瞩目。

台积电在日前的技术论坛进一步释出A14制程也不会采用High-NA EUV设备；反观英特尔预计2026年量产18A时就将导入High-NA EUV技术，再度引发热议。

张晓强说明，台积电在每代制程技术都试图将光罩增加数量控制在最低，这对成本效益至关重要。 A14制程不采用High-NA EUV设备关键就在于成本效益；若使用High-NA EUV技术，制程成本可能比传统EUV高出多达2.5倍。

据半导体业者表示，台积电与三星（Samsung）在改采环绕闸极（GAA）架构的策略也大不同。台积电决定今年下半年量产的2奈米制程才改采GAA架构，三星则抢先在3奈米制程改采GAA架构。

业者指出，外界原先预期三星在GAA架构发展将挟经验优势，可望在2奈米制程超前台积电，结果台积电3奈米制程稳定度高，充分掌握近几年AI庞大商机，2奈米也进展顺利，将如期于今年下半年量产，并持续居领先地位。因此单以英特尔抢先使用High-NA EUV技术，仍难以论定英特尔就能抢回领导地位。