【构想】4年狂砸900亿美元,英特尔代工的明日构想；台湾高管:台积电供应链外移可能在八年后

作者：爱集微 04-30 07:15

昨日之困：IDM模式的自我革命

英特尔的代工转型始于一场宏大的技术觉醒。2018年的10纳米制程危机，暴露了这家老牌IDM企业在技术迭代上的系统性脆弱。作为始终坚守垂直整合模式的半导体巨头，其研发体系在FinFET向EUV过渡的关键节点陷入僵局，错过了移动互联网时代催生的代工红利。

这种技术挫败迫使英特尔直面现实：曾经的“钟摆式创新”节奏已无法适应半导体产业的分工深化，摩尔定律的延续需要更开放的生态协作。于是，过去四年间，一场耗资900亿美元的救赎之路悄然铺开。

据Naga Chandrasekaran指出，其中20%投向研发端的“补课”——从以色列团队的10纳米技术攻坚，到爱尔兰工厂的EUV技术落地，再到俄勒冈州High NA EUV的超前部署，每个环节都在重塑技术竞争力；而剩余的80%则用于全球产能扩张，包括新墨西哥州封装基地、马来西亚先进封装工厂，加速构建制造版图的地缘平衡。

从客户的反馈来看，英特尔正在经历的转型，是一场触及灵魂的文化改革。正如陈立武在演讲中所说，英特尔要塑造“工程至上”的文化，满足客户各种各样的需要。

当联发科副总裁Vince Hu评价“英特尔团队应对挑战的反应非常出色”时，折射出的正是英特尔在服务意识上的艰难蜕变，包括从“精确复制”到“持续改进”的思维转变，从“技术导向”到“客户至上”的价值重构。这不仅是生产线的升级，更是组织基因的重编码。这种文化转型的难度，甚至超越了任何晶体管架构的革新，因为它要求一群习惯了定义行业标准的技术精英，学会倾听客户需求、适应代工市场的游戏规则。

今日之战：三位一体的突破路径

技术铁壁的构筑，正在重绘半导体制造的竞争版图。18A节点的背水一战，标志着英特尔在晶体管架构上的绝地反击。

作为首个集成PowerVia背面供电和RibbonFET全环绕栅极技术的制程节点，正在风险试产的18A节点有着30%的芯片密度提升和15%的性能改进，其不仅是对台积电N2节点的正面挑战，更是对传统FinFET路线的超越宣言。

除了即将量产的18A，英特尔即将在明年推出的18AP进一步提升8%性能，有额外的功能和更加紧凑的布局。更长远的未来，英特尔还将推出采用TSV技术的18APT工艺，18APT 作为首款带背面电源的 3D 底 Die，针对数据中心和 XPU 应用，相比前代技术，计算密度提升 20-25%，功耗降低 25-35%，芯片间带宽密度提升 9 倍。

18A技术的开发为intel 14A节点的布局提供了相当大的助力，随着战火烧向埃米时代的前沿——High NA EUV光刻机的调试速度超越行业预期，直接供电的引入预示着供电方式的范式革命，这些技术组合拳正在构建区别于台积电的技术话语体系。

在封装维度，EMIB-T通过硅通孔技术实现HBM4与UCIe 3.2的无缝对接，Foveros系列在成本与灵活性上的突破，则重新定义了先进封装的技术标准，使英特尔在三维集成领域建立起独特的系统级优势。

全球产能的棋盘上，英特尔正演绎着地缘政治的精密平衡术。亚利桑那州的18A产线、俄勒冈州的14A研发中心、新墨西哥州的封装基地，构成北美本土制造的“黄金三角”，试图在高端制造领域重建供应链闭环。而海外的爱尔兰EUV工厂，不仅承载着欧洲首个先进节点的量产使命，更在地缘贸易壁垒加剧的背景下，为全球客户提供地缘风险对冲选项。

在亚洲板块，马来西亚封装厂的硅中介层能力建设、与联华电子的12纳米技术联姻，则展现出对区域供应链的深度嵌入。这种横跨三大洲的产能布局，既是对CHIPS法案的政策响应，更是对台积电“集中化制造”模式的战略反制——当全球半导体产业在效率与安全之间摇摆时，英特尔试图用地理分散的弹性供应链，打造安全和效率兼顾的全新模式。

生态系统的重构上，Naga Chandrasekaran重申了陈立武在开场演讲中提到的上下游协作。他表示：“我们必须合作，这是我们获胜的唯一途径”。包括与Cadence、新思科技和西门子EDA等公司的合作，确保符合行业标准，也包括和PDK供应商的深度合作，实现18AP工艺和18A工艺实现设计规则兼容，实现史无前例的开放姿态。

此外，封装设计套件的公开发布、与AmKor的EMIB外包协议，标志着先进封装技术从封闭实验室走向产业协同的转折。而联发科16纳米项目从流片到量产的短周期验证，不仅证明着制程能力的成熟，更揭示出客户服务体系的质变——曾经只与顶级客户对话的英特尔，开始学会为中小设计公司提供交钥匙解决方案。

明日之局：系统代工的终极构想

技术路线的升维竞争，正在突破物理极限的桎梏。14A节点之后，intel在Ribbon FET与High NA EUV的组合将开启埃米时代的深水区探险。

将于2027 年风险量产的intel 14A/14AE 制程，通过第二代 RibbonFET（RibbonFET 2）和 PowerDirect 技术，实现 15-20% 的能效比提升与 1.3 倍密度增益，并针对高频、功耗敏感等不同场景提供三种库优化方案，搭配 Turbocells 技术提升驱动电流效率。

直接供电的电源传输架构对晶体管级供电方式的重构，可能引发能效革命的连锁反应；硅光集成技术的布局，则试图用光子取代电子，在共封装光学领域开辟后摩尔时代的新战场。

而在三维集成方面，Kevin O’Buckley表示，英特尔致力于打造的系统级代工终极形态——通过EMIB、Foveros、3DIC等技术矩阵，将计算、存储、互联模块在三维空间重组，这种超越单芯片思维的架构创新，或将重塑AI芯片的设计哲学。而英特尔实验室里那些正在测试的TSV硅通孔技术、混合键合方案，都在为这场系统级革命积蓄能量。

会议期间，英特尔还带来了机器人巡检系统，展现出智能制造革命的决心和信心。AI驱动的预测性维护系统，通过实时分析十万个传感器数据，将设备故障预测精度提升至98%；自动化缺陷检测平台，借助深度学习算法，使晶圆检测效率提升40%。这些数字化能力，正在将传统晶圆厂改造成“会思考的工厂”。

而在绿色制造维度，爱尔兰工厂的液态冷却系统、High NA EUV光刻机的能效优化，则预示着半导体产业碳中和路径的技术突破。

结语

英特尔的代工转型，本质上是半导体产业演进史的浓缩样本。它回答着三个根本性命题：当摩尔定律逼近物理极限，技术创新该向何处寻找突破口？当全球化遭遇逆流，制造网络该如何平衡效率与安全？当行业集中度不断提高，暂时劣势一方该以何种姿态破局？在这场豪赌中，技术领先、全球布局、生态开放构成的“铁三角”，既是对过往教训的总结，也是对产业未来的预判。

英特尔俨然已经进入了一个新的阶段，一个客户至上、工程至上的崭新英特尔重新回到跑道中央，用系统级思维开辟晶圆代工产业的新大陆。这场自我革命的成功与否，不仅关乎一家企业的命运，更牵动着全球半导体产业的价值链重构。

英特尔代工的今日之战成功与否，对晶圆代工产业未来的构图意义非凡。

2、士兰微Q1净利润1.49亿元同比扭亏为盈

4月29日，士兰微发布公告称，2025年第一季度，公司实现营业收入29.99亿元，同比增长21.70%。归属于上市公司股东的净利润为1.49亿元，同比扭亏为盈。

关于业绩增长的原因，士兰微表示，今年初以来，面对国家政策拉动、芯片国产替代进程加快的有利时机，公司凭借通过长期坚持IDM（设计制造一体化）发展模式所建立的产品品类丰富、生产链条完备、产能规模领先、品牌卓越的竞争优势，以起跑就冲刺的姿态，全力抢抓市场机遇，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，使公司总体营收继续保持了较快的增长势头。同时，公司通过持续的技术提升和成本费用管控，规模优势正在显现，产品综合毛利率明显回升。

2024 年，士兰微集成电路的营业收入为41.05亿元，较上年同期增长约31%，公司集成电路营业收入增加的主要原因是：公司IPM模块、AC-DC电路、32位MCU电路、快充电路等产品的出货量明显加快。

士兰微表示，2024 年，公司的电源管理芯片取得较大的进展，在汽车、大型白电、服务器、高端消费电子等领域推出了一批新产品，应用于服务器的DrMOS电路和Efuse电路、应用于汽车的带功能安全的电源管理电路和低压预驱电路、以及创新的高性能快充电路等都已在客户端测试或已量产。2025 年，以上产品将会有较好的成长，公司还将持续推出新的产品品类，不断丰富产品矩阵。 2024 年，公司32位MCU电路产品继续保持较快的增长态势，其营业收入较去年同期增长约36%。公司推出了基于M0内核的更大容量Flash更多管脚的通用高性能控制器产品，以满足智能家电、伺服变频、工业自动化、光伏逆变等多领域高性能控制的需求。经过多年持续发展与积累，公司电控类及主控类产品已形成系列化，与公司丰富的功率器件、IPM 模块一起为白电及工业客户提供一站式服务。创新的全士兰方案的变频空调（包含室内外MCU、电源管理、IPM模块、功率器件等）已在快速上量。

3、台湾高管：台积电供应链外移可能在八年后

台积电加码投资美国千亿美元，外界关切半导体先进技术是否外流、供应链是否外移。

台湾经济主管部门负责人郭智辉昨（29）日表示，以台积电目前产量还无法诱使供应链移到美国，除非美国六座晶圆厂都盖好，供应链才可能过去，但不是现在，可能是七、八年后。

郭智辉表示，台积电（2330）技术领先三星、英特尔约四到六年，未来十年内台积电是「一个人的武林」，先进技术不可能外流。台积电若用台湾资金赴美投资，一定要经过经济部投审会审查。

郭智辉昨日接受节目专访，谈及台积电赴美投资议题。

他强调，台积电赴美投资，主要是满足美国六大客户需求，但美国生产成本高，美国客户也会要求台积电持续在台生产，以供应美国以外市场。

郭智辉表示，台积电现在先进制程是跑3奈米，未来是跑2奈米，近日台积电对全世界公告，2026年要做1.6奈米，这也是在向三星、英特尔等竞争对手宣示。（经济日报）

4、英特尔抢先用新EUV 台积电考量成本效益策略大不同

台积电、英特尔与三星竞逐制程技术，持续受到各界瞩目。相较于英特尔将于2026年量产18A时导入高数值孔径极紫外光技术，台积电2028年量产A14制程仍不会采用，两大厂策略大不同，主要是台积电基于成本效益考量。

英特尔（Intel）前执行长季辛格（Pat Gelsinger）先前认为，反对使用艾司摩尔（ASML）的极紫外光（EUV）设备是错误决策，拖累英特尔晶圆代工事业欠缺能力。使得外界高度关注英特尔与台积电导入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）设备进展，并视为双方竞逐制程技术的指标。

台积电在去年技术论坛释出A16制程不会采用High-NA EUV设备的消息，当时全球业务资深副总经理暨副共同营运长张晓强说，他喜欢High-NA EUV设备的性能，但不喜欢它的价格，成本非常高。

英特尔则传出已全数包下ASML当年预计制造的5台High-NA EUV设备，与台积电策略大相径庭，引发各界瞩目。

台积电在日前的技术论坛进一步释出A14制程也不会采用High-NA EUV设备；反观英特尔预计2026年量产18A时就将导入High-NA EUV技术，再度引发热议。

张晓强说明，台积电在每代制程技术都试图将光罩增加数量控制在最低，这对成本效益至关重要。 A14制程不采用High-NA EUV设备关键就在于成本效益；若使用High-NA EUV技术，制程成本可能比传统EUV高出多达2.5倍。

据半导体业者表示，台积电与三星（Samsung）在改采环绕闸极（GAA）架构的策略也大不同。台积电决定今年下半年量产的2奈米制程才改采GAA架构，三星则抢先在3奈米制程改采GAA架构。

业者指出，外界原先预期三星在GAA架构发展将挟经验优势，可望在2奈米制程超前台积电，结果台积电3奈米制程稳定度高，充分掌握近几年AI庞大商机，2奈米也进展顺利，将如期于今年下半年量产，并持续居领先地位。因此单以英特尔抢先使用High-NA EUV技术，仍难以论定英特尔就能抢回领导地位。（中央社）

5、新川新材料获得B+轮融资5000万，系国产高端MLCC镍粉制造商

近日，超细粉末材料及设备厂商杭州新川新材料有限公司（简称“新川新材料”）宣布获得5000万元B+轮融资，由浙创投（领投），科发资本跟投。本轮资金将主要用于新型电子元器件和光伏用核心材料的开发与量产，以及新一期产能投建。

官方资料显示，新川新材料成立于2017年8月，总部位于杭州市萧山区，致力于成为全球性高端球形超细金属粉末材料等电子信息和绿色能源的基础材料公司，其自主研发的MLCC（片式多层陶瓷电容）内电极用镍粉，解决了高端MLCC内电极材料的国产化难题。

MLCC是目前需求最大的电子元器件，是集成电路中不可或缺的基础元件，保障了电子设备稳定运行，广泛应用于在智能手机、5G基站、新能源汽车等领域。镍粉凭借高球形度、高分散性、高导电率、抗氧化性以及耐热性强等特性，成为MLCC内电极的核心材料。当前日本和韩国占据MLCC市场70%以上的份额，与之相应的日企主导着镍粉供应市场。

新川新材料自主研发超细MLCC用200nm以下成品镍粉，推动国内MLCC向小型高容化方向发展，解决了高端MLCC用镍粉卡脖子问题，打破日本企业的垄断，产品广泛应用于电子信息、航空航天以及能源、医药等领域。

目前，新川新材料已实现MLCC用镍粉、AI用超细软磁粉量产，并持续推进光伏铜粉、制氢贱金属催化剂等高端粉体材料的规模化应用，覆盖电子信息、绿色能源、汽车电子、通信等应用领域。