天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善硅片边缘金属的方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119608644A。

本发明涉及一种改善硅片边缘金属的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对二手片盒进行纯水喷淋5min，纯水流量为25Lpm。第二步：在纯水浸泡槽内盐酸，二手片盒浸泡时间为30min。第三步：对二手片盒进行纯水喷淋10min，纯水流量为40Lpm。第四步：二手片盒进行旋转甩干，旋转的转速为300Rpm，甩干时间为10min。第五步：二手片盒放入至密闭烘箱烘干，干燥温度为62～65℃，烘干时间为30min。第六步：在清洗烘干后的二手片盒内，放入干净硅片，检测硅片边缘金属水平。解决了片盒清洗机无法对二手片盒进行洗净的问题。通过在片盒洗净机清洗槽内加入稀释浓度0.4%的盐酸后，有效降低了Al、Fe元素金属污染，提升了二手片盒金属水平，从而改善了硅片边缘金属水平。