天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善硅片背封外观的加工工艺”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119615104A。

本发明涉及一种改善硅片背封外观的加工工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对完成双面抛光加工的硅晶片，进行APCVD加工前洗净。第二步：硅晶片进入机台进行SiO2成膜反应，传片速度为190～210mm/min；第三步：进行APCVD加工的三个反应喷头，温度分别设定T1=620～700℃；T2=560～640℃；T3=460～540℃。第四步：硅晶片背面镀上一层SiO2薄膜即LTO，薄膜厚为0.3～0.6μm。第五步：硅晶片背封后再次洗净。第六步：进行APCVD加工后的硅晶片用于后续抛光和洗净的加工。具有工艺操作便捷和背封成膜稳定性好的优点。通过对加工APCVD背封产品加工过程的工艺参数改善，避免晶片加工后表面附着的粉末状污迹，成膜均匀无其他外观异常。提升了产品的一次加工成品良率。