东京大学的研究团队近期在微电子技术领域取得重大突破，成功开发出一种革命性的新型晶体管。这种晶体管摒弃了传统的硅材料，转而采用掺镓氧化铟（InGaOx）晶体材料，有望在人工智能与大数据应用中提升计算效能，并在后硅时代延续摩尔定律的生命力。

晶体管作为20世纪最伟大的发明之一，是现代电子产品的核心组件，负责控制和放大电子信号。然而，随着电子设备不断微型化和高速化，传统硅基晶体管正面临发展瓶颈，接近物理极限。面对这一挑战，东京大学研究团队提出了新的解决方案。

研究团队选择掺镓氧化铟作为替代材料，这种材料能形成高度有序的晶体结构，有效促进电子的高效移动。新型晶体管采用环绕式栅极（gate-all-around; GAA）设计，栅极完全包覆电流通道周围，显著提高了电子的移动率和长期稳定性。

该项目的主要研究人员陈安兰表示，研究团队通过在氧化铟中掺入镓，成功改善了材料的电性反应。研究结果显示，掺镓的氧化铟能有效抑制氧缺陷，提高晶体管的稳定性。团队使用原子层沉积技术，逐层涂覆InGaOx薄膜，并通过加热将其转化为所需的晶体结构，最终制造出一种高性能的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。

据陈安兰介绍，这种环绕式MOSFET实现了44.5cm²/Vs的高移动率，并在施加应力下稳定运行近三小时，展现出优异的可靠性。这一成果为高运算需求的应用提供了可靠的高密度电子元件设计方案，预示着下一代技术的顺利发展，将对人们的日常生活产生重大影响。