1.陆芯电子“一种IGBT器件制备方法及IGBT器件”获授权；

2.奕斯伟材料“一种用于修整研磨轮的装置和方法”获授权；

3.紫光同芯“模数转换的动态补偿方法及新型模数转换器”专利公布；

4.承泰科技“一种适于毫米波雷达检测的抗干扰处理方法、系统及平台”专利公布；

5.飞骧科技“线性偏置电路及射频功率放大电路”获授权；

6.北理工团队在二维材料Janus结构调控和对称性破缺机理研究方面取得重要进展

1.陆芯电子“一种IGBT器件制备方法及IGBT器件”获授权

天眼查显示，上海陆芯电子科技有限公司“一种IGBT器件制备方法及IGBT器件”近日取得一项名为“一种用于修整研磨轮的装置和方法”的专利，授权公告号为 CN118156130B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2024年4月9日。

本发明公开了一种IGBT器件制备方法及IGBT器件。该IGBT器件制备方法包括：提供一N型衬底；N型衬底具有较低电阻率；在N型衬底的正面淀积电阻率高于N型衬底的电阻率的至少一层N型漂移区；在N型衬底的背面进行离子注入，形成N型缓冲层；其中，N型缓冲层的电阻率小于N型衬底的电阻率；在N型缓冲层的背面进行离子注入，形成P型集电极；在N型漂移区远离N型衬底的一侧形成IGBT功能结构；其中，IGBT功能结构包括至少一个沟槽栅结构，沟槽栅结构的底部嵌于N型漂移区内部。本发明实施例的技术方案有利于减小FS‑IGBT功率器件的开关损耗，提高FS‑IGBT功率器件的开关速度，并且减小器件的开关震荡。

2.奕斯伟材料“一种用于修整研磨轮的装置和方法”获授权

天眼查显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日取得一项名为“一种用于修整研磨轮的装置和方法”的专利，授权公告号为CN115592565B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2022年10月14日。

本发明实施例公开一种用于修整研磨轮的装置，所述装置包括：柱状的修整部，所述修整部设置成能够绕自身的中心轴线旋转以通过所述修整部的周向表面对研磨轮的研磨齿进行修整；距离感测器，所述距离感测器用于感测所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离；其中，当所述距离感测器感测到所述研磨轮相对于所述修整部的所述周向表面的进给距离达到第一预定距离时，则修整操作结束。

3.紫光同芯“模数转换的动态补偿方法及新型模数转换器”专利公布

天眼查显示，紫光同芯微电子有限公司“模数转换的动态补偿方法及新型模数转换器”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119628631A。

本申请提供一种模数转换的动态补偿方法及新型模数转换器，涉及模数转换技术领域。该方法包括：通过模拟信号输入端口获取模拟信号；所述模拟信号输入端口同步输入到模数转换模块；根据所述模拟信号确定训练数据，根据所述训练数据进行深度学习模型的训练，得到深度学习模型，所述深度学习模型用于根据所述模拟信号和模数转换模块输出的数字码值变化周期、幅度和与理想数字码值输出偏差确定参数补偿值；根据所述参数补偿值对所述模数转换模块输出的数字码值进行补偿。能够实现实时准确的对数字码值进行补偿，得到准确的模数转换结果，提高模数转换的准确性。

4.承泰科技“一种适于毫米波雷达检测的抗干扰处理方法、系统及平台”专利公布

天眼查显示，深圳承泰科技股份有限公司“一种适于毫米波雷达检测的抗干扰处理方法、系统及平台”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119620003A。

本发明公开了一种适于毫米波雷达检测的抗干扰处理方法、系统及平台，本发明通过生成并获取与待毫米波雷达检测目标物相对应的第一数据，并根据所述第一数据生成相对应的第二数据；所述第二数据为检测区域的距离谱信号数据；抗干扰消除处理所述第二数据，并生成与所述第二数据相对应的第三数据；以及与方法相应的系统及平台，可以提高检测精度，使用两级干扰检测，识别待检测环境是否有干扰，而且，后续可以针对不同的干扰选择不同的算法，提高检测精度和检测效率，还能够识别出持续地微动干扰信号，降低了漏检和误检概率，使检测结果更准确。

5.飞骧科技“线性偏置电路及射频功率放大电路”获授权

天眼查显示，深圳飞骧科技股份有限公司近日取得一项名为“线性偏置电路及射频功率放大电路”的专利，授权公告号为CN119628577B，授权公告日为2025年5月27日，申请日为2025年2月13日。 

本发明提供了一种线性偏置电路及射频功率放大电路，其中，所述线性偏置电路包括第一电源、第一电流镜、第二电源、第二电流镜、第一电容、第一晶体管、第一电阻及第二电容，所述第一电阻的第二端作为所述线性偏置电路的输出端，用于连接至射频功率放大电路。本发明中的线性偏置电路可以控制其输入阻抗，以提升其线性补偿效果，另外将该线性偏置电路应用于射频功率放大电路后，还能使射频功率放大电路在工作功率下的效率及线性度达到最佳状态。

6.北理工团队在二维材料Janus结构调控和对称性破缺机理研究方面取得重要进展

近日，依托先进光场显示芯片与系统全国重点实验室、学校光量子与纳机电集成交叉科学中心，北京理工大学物理学院/前沿交叉研究院武旭教授课题组与我校集成电路学院、武汉大学物理与技术学院、中国科学院物理研究所开展合作，在二维材料Janus结构调控和电荷密度波态对称性破缺机理研究方面取得重要进展。相关研究成果以“Unusual charge density wave introduced by the Janus structure in monolayer vanadium dichalcogenides”为题发表在国际知名期刊《Science Advances》上，论文第一作者为北京理工大学毕业博士生许自强、邵岩教授、在读博士生黄纯和武汉大学在读博士生朱超。通讯作者为北京理工大学武旭教授、乔婧思教授、王业亮教授和武汉大学张晨栋教授。

研究课题组成功发展出原子层级Se化工艺，以此为基础实现了单层Janus结构VTeSe材料的可控制备。进一步，借助扫描隧道显微镜技术，对材料的电荷密度波（CDW）现象进行原子级成像，观测到具有独特对称性的“√13×√13”超周期，该结构具有显著的三重旋转对称性破缺。通过理论计算与实验结合，团队揭示了这种CDW态与材料内部自旋排列紧密相关，而不是单一的传统电子-声子耦合作用机理。该成果不仅为二维过渡金属硫族化合物（TMD）的原子级结构调控提供了新的制备工艺技术，也对对称性调控与量子态设计提供了全新思路，推动二维材料的物态调控和相关的基础以及应用科学研究。

图1 单层Janus VTeSe的制备流程示意图和原子级结构表征结果。

图2 二维VTe2和具有Janus结构VTeSe两种材料电荷密度波结构的原子级成像对照。

图3 二维Janus VTeSe中CDW态的电子态实空间成像分析结果。

图4 单层Janus VTeSe的电荷密度波与自旋序之间的关联以及对应的DFT理论计算

论文详情：Ziqiang Xu et al., Unusual charge density wave introduced by the Janus structure in monolayer vanadium dichalcogenides. Sci. Adv.11, eadq4406(2025). DOI:10.1126/sciadv.adq4406

论文连接：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adq4406

本研究受到科技部重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然科学基金等项目的资助。