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鲁汶仪器“一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法”专利公布

作者: 爱集微 07-04 14:21
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来源:爱集微 #鲁汶仪器#
6331

天眼查显示,江苏鲁汶仪器股份有限公司“一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法”专利公布,申请公布日为2025年3月14日,申请公布号为CN119626902A。

本申请提供了一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法,应用于半导体器件,该方法包括:将半导体器件置于载台上,半导体器件中具有开口,开口的侧壁表面镀有预设膜层;在预设膜层表面形成覆盖层;利用离子束对覆盖层进行刻蚀,去除覆盖层的部分区域,裸露预设膜层的第一部分,第一部分为预设膜层中位于预设位置朝向开口端口一侧的部分,离子束的入射角度和半导体器件所在表面呈第一角度,第一角度的取值范围为90°~0°以及0°~90°,不包括端点值;去除预设膜层的第一部分;去除覆盖层的剩余部分。该方法在对覆盖层进行刻蚀的过程中,可以通过第一角度的设置,控制遮蔽效应所影响的区域,实现刻蚀位置的精确控制,提高刻蚀位置的准确度。

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来源:爱集微 #鲁汶仪器#
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