据报道，LG电子启动高带宽存储器（HBM）混合键合机研发，正式进军半导体设备市场。此举与LG集团会长Koo Kwang-mo着眼于HBM高增长潜力、大力发展人工智能（AI）业务的战略高度契合，也与LG电子近期拓展B2B业务的战略相契合。LG电子计划与三星电子、韩华半导体和韩美半导体等已涉足HBM制造设备市场的企业展开激烈的技术竞争，从而引领先进制造业的发展。

业内人士7月13日透露，LG电子生产技术研究院（PRI）已启动对下一代HBM制造至关重要的混合键合机设备的研发。据悉，LG电子还设定了到2028年实现混合键合机量产的目标。LG电子相关人士表示：“我们目前正在研发混合键合机，这是事实。”

LG电子生产工程研究院已拥有一些研究半导体封装技术的机构，预计将拓展该领域，招募半导体封装领域的高水平人才，并积极开展与学术界的研究合作，着手开发混合键合机。

混合键合机是一种用于贴合多个半导体芯片的设备，其技术与现有半导体生产线上使用的热压 （TC）键合机截然不同。目前的方法涉及使用“凸块”作为芯片间中间端子的垂直键合，而混合键合机无需凸块即可堆叠芯片。该技术具有芯片厚度更薄、发热量更低等优势，对于堆叠多层DRAM的HBM来说是一项至关重要的创新。

虽然该技术已应用于NAND闪存和系统半导体领域，但尚未在HB 领域实现商业化。LG电子决定进军该业务，部分原因是他们认为，如果开发成功，销售额将迅速增长，并迅速确立其在半导体设备市场的领先地位。

LG电子近期专注于加强B2B业务，并取得了显著成效。混合键合机的成功开发有望帮助LG电子赢得SK海力士、美国美光科技和三星电子等客户。LG电子代表性的B2B业务，包括汽车零部件和空调系统（HVAC），预计今年销售额将超过20万亿韩元，与其主力消费家电业务不相上下。（校对/李梅）