2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

持续攻克碳化硅工艺难点

实验室工艺中心团队在充分调研及大量验证测试的基础上，充分梳理关键工艺及工艺风险点，周密制定开发计划，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

实现自主IP的碳化硅（SiC）沟槽技术

碳化硅（SiC）沟槽结构因其独特的优势被认为是碳化硅MOSFET器件未来的主流设计，国际领先企业已建立先进的沟槽结构的技术领先，国内处于追赶阶段。九峰山实验室面向前沿技术进行突破，重点聚焦先进沟槽工艺的研究，完成自主IP布局，并集中资源开发了碳化硅沟槽器件制备中的沟槽刻蚀、高温栅氧、离子注入等关键核心单点工艺，形成了自主IP的成套工艺技术能力。

未来，九峰山实验室将继续以基础性、前瞻性、特色性的原创成果和优质资源支持产业界解决关键工艺难题，为合作伙伴提供中立、开放的创新工艺研发平台，加速技术创新。