法国创新半导体材料领先企业Soitec近日发表公告，该企业在法国格勒诺布尔附近的伯宁举行了新工厂落成仪式，欧盟内部市场专员蒂埃里·布雷顿(Thierry Breton)和法国工业部长代表罗兰·莱斯库尔(Roland Lescure)出席了仪式。

Soitec开发了SmartSiC™技术来应对车辆电气化挑战。

该技术基于碳化硅(SiC)材料，为能源转换系统设立了新标准和提高效率，并且能实现更好的热管理和提高的功率密度。

公告显示，通过SmartSiC™技术的应用，每个SiC衬底可以使用10次。因此，SmartSiC™使电动汽车的续航里程超过500公里，而使用硅基IGBT的汽车平均续航里程为350公里，同时与单晶SiC衬底相比，晶圆制造过程中的二氧化碳排放量减少了70%。

该技术的开发于2020年，与CEA-Leti合作并获得了法国政府、地区、地方当局和欧盟的财政支持。

新工厂占地2500平方米，最终产能为每年500000片SmartSiC™晶圆。

公告显示，它将有助于Soitec的可持续增长战略，到2030年将潜在市场扩大三倍，巩固该公司在战略半导体材料市场的领导地位。新工厂将创造400个直接就业岗位，同时也加强了“法国硅谷”生态系统的吸引力和活力。