天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“极板电容器及其制造方法、半导体结构”专利公布，申请公布日为2024年7月23日，申请公布号为CN118380417A。

本公开实施例提供了一种极板电容器及其制造方法、半导体结构。该极板电容器，包括：在第一方向上相对设置的第一极板和第二极板，以及设置于所述第一极板和所述第二极板之间的介质层；所述介质层包括沿所述第一方向层叠的第一子层、第二子层和第三子层；其中，所述第一子层与所述第一极板接触，所述第三子层与所述第二极板接触，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的材料组成元素相同，且所述第一子层和所述第三子层中的硅元素含量均小于所述第二子层中的硅元素含量。本公开用于改善MIM电容器的可靠性。