天眼查显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司“一种构造多芯片封装结构的方法及多芯片封装结构”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118613062A。

本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种构造多芯片封装结构的方法及多芯片封装结构。该方法包括下列步骤：构造三维集成深沟槽电容器（3D‑IDTC）；提供双面互连的高带宽存储芯片（HBM）以及双面互连的系统级芯片（SOC）；以及将所述三维集成深沟槽电容器、所述双面互连的高带宽存储芯片以及所述双面互连的系统级芯片封装以形成多芯片封装结构。本发明通过堆叠多个具有DTC和TSV的硅晶圆，可以获得N倍的电容和更低的等效串联电感特性，同时在SOC周围布置3D集成深沟槽电容器，其互连距离短，可以快速实现大电容的电源去耦。