天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体器件的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610154A。
本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底的表面形成图案化的第一TEOS层作为硬掩膜层；使用硬掩膜层刻蚀衬底，以形成深沟槽；在图案化的第一TEOS层的表面和深沟槽的内壁上形成第二TEOS层；向深沟槽底部的衬底内注入离子，以形成沟道停止层；去除图案化的第一TEOS层和第二TEOS层；在深沟槽的内壁和衬底的表面形成第三TEOS层，深沟槽内壁的第三TEOS层和衬底表面的第三TEOS层的厚度相同；第三TEOS层反应形成隔离氧化层，隔离氧化层的表面平整；向深沟槽内填充多晶硅，多晶硅同时覆盖隔离氧化层的表面，研磨多晶硅，以在深沟槽内形成栅极。本发明减少了多晶硅的残留。
