近日
在第十届国际第三代半导体论坛
第二十一届中国国际半导体照明论坛
（IFWS&SSLCHINA2024）
开幕式上
2024年度中国第三代半导体技术十大进展
重磅揭晓
其中西安电子科技大学
第三代半导体创新中心
“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中
高压电力电子器件技术实现重大突破”
入选2024年度
中国第三代半导体技术十大进展
西安电子科技大学第三代半导体创新中心
郝跃院士课题组
张进成教授、李祥东教授团队
成功攻克了
6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的
外延、设计、制造和可靠性等系列难题
基于低翘曲超薄外延
高质量双层钝化等创新方法
实现1200V和1700V高性能
GaN HEMT中试产品开发
通过HTRB、HTGB等可靠性评价
成果应用于致能科技等公司系列产品中
显著推动蓝宝石基GaN
成为中高压电力电子器件方案的有利竞争者
不仅代表了行业的技术前沿
也预示着产业发展的新方向
受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论
一起为西电人点赞！
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