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长电科技“封装结构及其形成方法”专利公布

作者: 爱集微 02-11 22:47
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来源:爱集微 #长电科技#
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据天眼查显示,江苏长电科技股份有限公司“封装结构及其形成方法”专利公布,申请公布日为2024年12月31日,申请公布号为CN119230530A。

本发明提供一种封装结构及其形成方法,封装结构包括基板及设置在基板上的中介层,中介层包括:芯片,倒装设置在基板上,在芯片背面具有一凹槽;塑封层,塑封芯片,且凹槽表面未被塑封层覆盖;导电柱,贯穿塑封层至基板;散热层,覆盖芯片背面的凹槽表面,散热层的热导率大于芯片背面材料的热导率。本发明实施例提供的封装结构及其形成方法,在芯片背面形成凹槽,扩大了芯片背面的表面积,进而扩大了芯片背面与外部散热结构的接触面积,能够实现对芯片的良好散热,并且,封装结构还在凹槽表面设置热导率较大的散热层,进一步提高了芯片背面与外部散热结构之间的热量传导,提高了封装结构的散热性能。

责编: 爱集微
来源:爱集微 #长电科技#
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