1.国微集团“电路划分预处理的方法及门级电路并行仿真的方法”专利获授权
2.利扬芯片“一种用于芯片老化测试的数据采集装置”专利获授权
3.开元通信“解决射频模组宽电压域问题的射频前端电路、射频模组”专利公布
4.新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
5.长电科技“引线框架结构及其封装结构”专利公布
1.国微集团“电路划分预处理的方法及门级电路并行仿真的方法”专利获授权
天眼查显示，国微集团(深圳)有限公司近日取得一项名为“电路划分预处理的方法及门级电路并行仿真的方法”的专利，授权公告号为CN112651197B，授权公告日为2024年12月31日，申请日为2021年1月28日。
本发明提出了一种电路划分预处理的方法及门级电路并行仿真的方法，所述电路划分预处理的方法，包括：步骤S1：将门级电路转换为有向图，并用结构体保存所述有向图；步骤S2：从结构体中查找有外部输入的输入节点的集合V；步骤S3：从输入节点开始探索有向图，得出所有强连通分量，并用结构体的形式保存；步骤S4：将每个强连通分量用一个中间节点替换，删除所述有向图中所有的强连通分量并对应加入中间节点。与现有技术相比，本发明实现了对门级电路划分的预处理，减小了有向图的规模和复杂程度，降低了下一步电路划分的难度。
2.利扬芯片“一种用于芯片老化测试的数据采集装置”专利获授权
天眼查显示，广东利扬芯片测试股份有限公司近日取得一项名为“一种用于芯片老化测试的数据采集装置”的专利，授权公告号为CN222259505U，授权公告日为2024年12月27日，申请日为2024年3月5日。
本公开揭示了一种用于芯片老化测试的数据采集装置，包括第一数据采集单元、第二数据采集单元和第三数据采集单元，其中，所述第一数据采集单元的输入端与芯片老化测试板的输出端电连接，所述第一数据采集单元的输出端与第二数据采集单元的输入端电连接；所述第二数据采集单元的输出端与第三数据采集单元的输入端电连接；所述采集装置还包括数据存储单元，所述数据存储单元的输入端与所述第三数据采集单元的输出端电连接。本公开通过具体多级电路能够准确获得老化测试后的芯片的输出电压信号，从而能够准确检测出老化测试后的芯片是否存在异常。
3.开元通信“解决射频模组宽电压域问题的射频前端电路、射频模组”专利公布
天眼查显示，开元通信技术(厦门)有限公司“解决射频模组宽电压域问题的射频前端电路、射频模组”专利公布，申请公布日为2024年12月27日，申请公布号为CN119210491A。
本申请涉及射频技术领域，具体公开了一种射频模组宽电压域问题的射频前端电路、射频模组，射频前端电路包括内部电源产生电路、移动产业处理器接口数字模块和控制电路；其中，内部电源产生电路的供电端与移动产业处理器接口数字模块的供电端均与所在设备的数字接口电压电源连接，使模拟电压电源不进入射频前端模组芯片，从而不受所在设备的模拟电压电源输出电压大小的影响，而数字接口电压电源的电压域范围较窄，从而无需针对各窄电压域设计内部电源产生电路或针对宽电压域设计复杂的内部电源产生电路，即可适应所在设备的宽电压域，从而能够在避免大幅增加成本的情况下解决射频前端模组芯片适应所在设备的宽电压域问题。
4.新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
天眼查显示，上海新微半导体有限公司“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布，申请公布日为2024年12月27日，申请公布号为CN119209203A。
本发明提供一种垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法，该校验方法通过采用Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为缓冲层的GaAs衬底的垂直腔面发射激光器的外延结构进行外延校验，在进行外延校验时对AlGaAs缓冲层的外延生长进行原位监测，进而减少试生产的次数，提高外延校验效率，此外，通过采用外延工艺于GaAs衬底上生长Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs缓冲层，同时在该外延工艺过程中于外延工艺腔室内壁上沉积Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为内壁保护层，以此来减少甚至避免外延生长时外延工艺腔室内的杂质颗粒掉落在外延生长的膜层表面形成缺陷，同时还可以去掉单独于外延工艺腔室内壁上沉积内壁保护层的炉次，进一步提高外延校验效率。
5.长电科技“引线框架结构及其封装结构”专利公布
天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司“引线框架结构及其封装结构”专利公布，申请公布日为2024年12月27日，申请公布号为CN119208282A。
一种引线框架结构及其封装结构，引线框架结构包括：基岛；引脚，与所述基岛间隔设置，所述引脚的背面设置有实体，同一所述引脚上的所述实体的数量为一个或多个，所述引脚的背面背向所述基岛的器件承载面。本发明实施例的实体能够对引脚起到支撑作用，降低了由于引脚的支撑力不足而产生形变的概率，相应提高了引线框架结构抗形变的能力，从而有利于提升后续塑封制程中的塑封料对引脚的覆盖能力，降低引脚中不期望的区域被暴露的概率，进而提高了封装结构的良率。
