1.小鹏汽车：造谣“L3级自动驾驶首例判决”案已侦破，犯罪嫌疑人到案
2.2025年我国智能算力规模预计增长43%
3.支持创新创业服务平台发展，海淀新增12条具体措施
4.燕东微40.2亿元定增募资获上交所受理
5.浙大集成电路学院牵头，浙江省集成电路智能制造协同创新中心获批
6.甬矽电子高端封装技术布局：DiFEM模组封装技术超薄尺寸突破
1.小鹏汽车：造谣“L3级自动驾驶首例判决”案已侦破，犯罪嫌疑人到案
2月17日，小鹏汽车法务部官微今日发文表示，网络上造谣“L3级自动驾驶首例判决”向公安机关报案，现案件已侦破，主要犯罪嫌疑人涉嫌寻衅滋事罪已到案。
小鹏汽车表示，对于主动或参与实施编造及散布虚假信息的媒体、个人及企业，公司将继续通过法律手段，坚决维护企业自身权益。
2月12日，小鹏汽车法务部发文表示，微博用户@CHE车说道 在多个网站平台发布《L3级自动驾驶首例判决！车企担责70%，智驾法规全面重构》一文。文中所描述的车辆碰撞事故、诉讼及法院判决纯属捏造。公司已经对该账号发布的全部不实内容完成取证，将对造谣者和传播不实信息者依法追究法律责任。
（凤凰网）
2.2025年我国智能算力规模预计增长43%
“DeepSeek系列模型的发布将加速人工智能的渗透、扩散和普及，实质性带动算力需求的增长。”2月13日，《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》发布，浪潮电子信息产业股份有限公司（以下简称“浪潮信息”）高级副总裁刘军在发布会上说。
《报告》由国际数据公司（IDC）和浪潮信息联合发布。《报告》认为，DeepSeek带来的算法效率的提升并未抑制算力需求，反而因更多用户和场景的加入，推动大模型普及与应用落地，重构产业创新范式，带动数据中心、边缘及端侧算力建设。
《报告》指出，大模型和生成式人工智能推高算力需求，中国智能算力发展增速高于预期。2024年，中国通用算力规模达71.5EFLOPS（EFLOPS指每秒百亿亿次浮点运算次数），同比增长20.6%；智能算力规模达725.3EFLOPS，同比增长74.1%。2025年，中国通用算力规模预计达85.8EFLOPS，增长20%；智能算力规模将达1037.3EFLOPS，增长43%，远高于通用算力增幅。总体来看，2023—2028年中国智能算力规模和通用算力规模的五年年复合增长率预计分别达46.2%和18.8%。
《报告》分析，全球范围内人工智能技术的加速发展与生成式人工智能的持续创新密切相关，生成式人工智能成为企业重要新型工作负载。大模型的开源趋势正在显著增强，成为推动人工智能普惠、降本增效的重要力量。
IDC预测，2025年全球人工智能服务器市场规模将增至1587亿美元，2028年有望达2227亿美元。其中，生成式人工智能服务器占比将从2025年的29.6%提升至2028年的37.7%。
《报告》还从算力结构、区域分布和行业渗透度等多个维度，对中国人工智能算力发展进行综合评估。在区域分布方面，《报告》显示，北京、杭州、上海在2024年中国人工智能城市排行榜中位列前三，深圳、广州、南京、成都、济南、天津、厦门进入排名前十。在行业渗透度方面，《报告》显示，互联网、金融、运营商成为人工智能应用最广泛的3个行业。
此外，《报告》提出，大模型场景落地需求快速增长，需要采用算力“扩容”和“提效”并行的策略，应对高性能算力供不应求及算力利用率低等挑战。
《报告》建议，在扩容方面，要提升算力供给能力，增加智算中心的数量，实现充足的多元算力供给；在不同地区合理规划智算中心分布，实现不同区域协调发展；面向未来适度超前规划并建设智算中心，支持科技创新和业务扩展，在重视规模扩大的同时，注重技术先进性。在提效方面，需要科学规划建设智算中心、优化算力基础设施架构、实现算法创新、增强数据支持。（科技日报）
3.支持创新创业服务平台发展，海淀新增12条具体措施
2月14日，在2025海淀区经济社会高质量发展大会上，《海淀区支持创新创业服务平台发展若干措施》（修订）（以下简称《措施》）正式发布，面向高校院所、新型研发机构、投资机构、社会组织、领军企业、园区运营方等创新创业服务平台运营方、建设方、组织方提出十二条具体措施。
促进关键核心技术攻关和科技成果转化方面
《措施》支持关键核心技术“揭榜挂帅”，依据创新与投入，给予资金支持；支持组建创新联合体。支持科技成果转化公共平台建设，支持概念验证平台、中试验证平台和共性技术平台等公共平台建设；加大应用基础研究投入，搭建企业和高校院所深度合作平台，采取企业出题、高校院所解题方式，强化面向产业发展问题应用基础科学研究。
升级创新服务生态方面
《措施》支持高质量孵化器，引进国际知名孵化器、培育未来产业孵化器、支持标杆孵化器建设；支持科技型社会组织提升专业服务能力，推进企业服务和产业促进；集聚高能级科技服务机构，集聚金融财务、研发设计、科技咨询等科技服务机构；支持国际科技合作交流，支持优质国际技术研究机构、国际一流高校、国际科技组织等国际科技服务机构落户或设立分支机构，鼓励科技服务业企业在海外建设创新加速器和海外合作平台。
强化创新要素支撑方面
《措施》加强平台人才服务，鼓励申报“海英人才”政策，建设企业家创新领导力培训体系，壮大技术经纪人、产品经理等产业化专家队伍；扩容海淀基金系，全链条布局早期基金、成长基金、并购基金等，引导撬动社会资本投资海淀科技企业；支持特色园区建设，提升特色园区服务能效与空间品质；鼓励创新应用场景建设，依据创新与投入等多方面指标，给予资金支持。
《措施》重点支持关键核心技术攻关和科技成果转化，升级创新服务生态，强化创新要素支撑，破解创新要素获取难和成本高等阻碍企业发展的难题，是新时期推进北京国际科技创新中心核心区建设的重要举措，将成为引领未来产业创新组织方式发展变革的积极探索，并为北京国际科技创新中心建设和海淀区构建新质生产力发挥示范引领作用。（北京海淀）
4.燕东微40.2亿元定增募资获上交所受理
2月17日，燕东微发布公告称，公司于2025年2月17日收到上海证券交易所出具的《关于受理北京燕东微电子股份有限公司科创板上市公司发行证券申请的通知》（上证科审（再融资）〔2025〕15 号）。上交所依据相关规定对公司报送的科创板上市公司发行证券的募集说明书及相关申请文件进行了核对，认为申请文件齐备，符合法定形式，决定予以受理并依法进行审核。
其进一步称，公司本次向特定对象发行A股股票事项尚需通过上海证券交易所审核，并获得中国证监会作出同意注册的决定后方可实施。上述事项最终能否通过上海证券交易所审核，并获得中国证监会同意注册的决定及其时间尚存在不确定性。
据披露，燕东微本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过40.2亿元，投建于北电集成12英寸集成电路生产线项目（40亿元），以及补充流动资金（0.2亿元）。
其中，北电集成12英寸集成电路生产线项目规划建设12英寸集成电路芯片生产线，产品主要面向显示驱动、数 模混合、嵌入式 MCU等领域，搭建 28nm-55nmHV/MS/RF-CMOS 等特色工艺 平台，计划建成后产能达5万片/月。
燕东微是国内最早建设 4英寸生产线的企业之一，此后陆续建成 6英寸生产线、8英寸生产线、65nm 12英寸生产线，实现了集成电路制造业务的持续发展。本项目技术节点涵盖28nm 及以上制程，是公司在集成电路制造领域加大投入、技术不断迭代、能力持续提升的战略举措，符合公司的战略发展规划。
燕东微表示，本项目立足高技术水准，推动公司工艺技术能力由现有的65nm向更高工艺节点迈进，进一步加强公司业务在行业中的竞争优势，提高公司盈利能力。
5.浙大集成电路学院牵头，浙江省集成电路智能制造协同创新中心获批
近期，浙江省教育厅公布了第八批浙江省协同创新中心认定结果，“浙江省集成电路智能制造协同创新中心”成功获批。
“浙江省集成电路智能制造协同创新中心”（以下简称“中心”）由浙江大学集成电路学院牵头建设，联合浙江创芯集成电路有限公司等多家单位共同组建。
据悉，集成电路智能制造协同创新中心主要围绕智能制造的关键技术问题与创新链条，以12英吋集成电路成套工艺公共研发与中试线为依托，进行集成电路工艺虚拟化、测试虚拟化、智能制造、设计制造协同四大智能化技术攻关。重点探索人工智能技术在集成电路制造成套工艺中单点工艺开发、工艺设备工程、工艺整合优化、工艺过程管控与良率及可靠性优化提升等环节的应用基础研究。主要围绕智能制造技术的实现与智能制造技术的应用来布局，掌握制造虚拟化、测试虚拟化核心技术与解决方案，建立基于虚拟制造的集成电路智能制造、设计制造协同优化的方法论与工具链。通过相关技术攻关落地，大幅提升我国集成电路创新能力与效率，形成国产芯片智能一体化的新技术和新格局。推动人工智能技术在集成电路制造产业的深度应用，并同时培养该领域的复合型创新人才。
6.甬矽电子高端封装技术布局：DiFEM模组封装技术超薄尺寸突破
射频前端作为智能终端设备的核心部件，其性能直接关系到设备的通信质量和用户体验。随着通信领域快速发展，射频前端正处在体积需减小、内部器件数量需增加的矛盾中，因此，射频前端逐渐走向模组化。
DiFEM模组作为射频前端模组化的一种重要形式，可通过集成射频开关（switch）和滤波器（filter），实现对多路信号的接收和处理，在提高集成度和性能的同时能减小体积，满足移动智能终端产品的需求。对于DiFEM模组封装技术的创新，正是推动通信设备性能提升的关键因素之一。
DiFEM模组封装实现超薄尺寸，引领行业创新
甬矽电子在DiFEM模组封装领域已取得突破性的进展，利用FCLGA封装技术，将射频开关和多个滤波器芯片高度集成在一起，实现了超薄的封装尺寸。
● 选择性空腔技术：
甬矽电子在封装模组中集成了性能稳定、工作频率高、选频特性好等优势集于一身的声表面波滤波器（SAW filter）。这种滤波器的原理在于输入端通过压电效应将电信号转化为声信号在介质表面上传播，输出端由逆压电效应将声信号转为电信号，电能与机械能的相互转化过程由叉指换能器（IDT）实现。根据声表面波滤波器工作原理，其需要空腔才能正常工作，空腔结构也是影响集成声表面波滤波器射频模组尺寸、成本、性能等关键指标的决定因素。目前，甬矽电子在整个模组封装中，通过选择性空腔技术同时实现滤波器芯片底部全部空腔结构，射频开关芯片底部100%填充。
SAW滤波器工作原理示意图
DiFEM封装模组示意图
● 高密度集成方案：
甬矽电子还通过研究多芯片组合方案，结合材料与工艺，实现了更优的芯片贴装顺序，最终解决了多芯片封装过程中机械力与热应力带来的挑战，单模组内可通过表面贴装技术实现3-8颗滤波器芯片与2颗射频开关芯片的集成。
● 可靠性验证结果：
针对芯片模组封装过程中可能出现的可靠性问题，甬矽电子对封装工艺进行了全面优化，封装成品具有优异的机械强度和可靠性，适用于各种恶劣环境下的应用。可靠性结果通过Precondition、TCT、UHAST、HTST等测试项目，符合JEDEC 国际标准。目前甬矽电子已具备相关产品的批量生产能力，封装良率可稳定在99.9%以上。
深耕先进封装，打造高端模组封装方案
模组封装中开发的技术是推动通信设备性能提升的关键因素之一，也是甬矽在高端封装技术布局中的重要一环。甬矽电子将持续进行技术创新，加大研发投入，在提高生产效率、保证产品良率的同时，继续深耕先进封装技术，将晶圆级封装、2.5D/3D封装等先进封装技术应用于更高集成度模组封装中，提高芯片的尺寸密度、信号传输速度和能效，使模组满足终端应用对芯片轻薄、低功耗、高性能的需求。随着厂区规模的扩大，甬矽电子也将拓展射频模组封装产品线，构建射频前端芯片产品封装平台，为客户提供可与国际厂商竞争的高端模组封装方案。（甬矽电子Forehope）
