在先进制程竞赛中一向扮演领头羊角色的台积电，现在却传出，预计于2028年量产的A14制程，将不会采用业界瞩目的High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻技术），而是持续依赖现有的0.33-NA EUV技术。外媒指出，台积电是基于成本考量而做出此决定，不过这也意味着，将在18A制程中使用High-NA EUV的英特尔，反而更具有「技术」优势。

《wccftech》报导，台积电业务开发资深副总裁张晓强在北美技术研讨会上透露，台积电将不会使用高NA EUV曝光技术来对A14芯片进行图案化，A14的生产计划预计将于2028年开始，但并不仰赖High-NA技术，也能透过既有工具达到预期的制程复杂度与设计密度。他强调：「从2nm到A14，我们不一定要使用high-NA，但在处理步骤上，我们可以继续维持类似的复杂度。我们每一代的技术制程都试图将光罩数量增加控制在最低，这对成本效益至关重要。」

这项决策的关键在于「成本效益」。若使用High-NA EUV技术，制程成本可能比传统EUV高出多达2.5倍，将大幅推升A14芯片的生产成本，进而影响其在消费性电子市场的普及速度。此外，A14 设计需多个光罩才能完成单层芯片设计，若使用High-NA，反而让台积电在成本增加的同时却没有获得多少好处，性价比并不高。

相较之下，透过0.33-NA EUV并搭配多重曝光（multi-patterning）技术，能在不依赖极精准度工具的情况下维持设计复杂性，并使制造成本降低。

不过，这不代表台积电将完全放弃High-NA技术，该公司预计在 2029年推出的A14P制程节点上，可能会导入High-NA EUV。 《wccftech》指出，英特尔正积极投入High-NA技术，计划于2026年量产的18A制程中率先导入，这意味着台积电使用High-NA的进程，将落后英特尔等对手至少四年。