近日，在2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会上，优炜芯科技展示了紫外LED技术的最新研发成果及其在战略性新兴产业中的实践案例，引发行业高度关注。
一、技术突破
全产业链创新驱动效能跃升
深紫外LED的核心技术瓶颈在于电光转换效率（Wall-Plug Efficiency, WPE）行业长期低于7%，其根源在于传统蓝宝石衬底与氮化铝（AlN）薄膜的晶格失配，导致异质外延生长时产生高密度位错，降低内量子效率（IQE）。此外，AlN薄膜厚度超过3.5微米时，应力集中引发的贯穿性裂纹显著降低芯片良率。
关键技术突破
01、纳米图形化衬底（NPSS）技术
优炜芯科技通过引入NPSS技术，实现AlN薄膜的侧向外延生长，位错密度降低至传统工艺的1/3，薄膜厚度突破至10微米无裂纹，为高功率芯片制备奠定基础。
02、蛾眼微结构光提取优化
借鉴仿生学原理，利用光刻与电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，在蓝宝石衬底背面制备均匀的蛾眼结构，将深紫外光提取效率（Light Extraction Efficiency, LEE）提升近100%，解决了光子“囚禁”效应。
03、柔性氟胶纳米透镜封装技术
采用金锡共晶倒装、高密COB封装以及柔性氟胶纳米透镜阵列深紫外LED封装技术，解决了器件可靠性差寿命短的难题，研制出高光效高光功率密度的大功率紫外LED器件与光源。
二、产业生态构建
从“技术跟跑”到“行业领跑”的跃迁
优炜芯科技通过全产业链垂直整合，打破国际技术垄断，实现深紫外LED芯片的规模化量产。其自主研发的DUV-LED芯片WPE已突破10%（国际竞品平均为7%），寿命（L70）突破15000小时，显著优于行业标准。
面对国际巨头的技术壁垒，优炜芯科技构建 "自主研发+产业协同" 的双轮驱动模式：
01、全链条产能布局
在武汉、鄂州、苏州、泉州等地建立四大研发生产基地，自主搭建 MOCVD 外延炉、芯片光刻 / 刻蚀设备、自动化封装产线等核心装备，形成从外延生长到模组集成的全流程可控能力。
02、技术壁垒构建
累计申请专利 325 项（发明专利168项），突破车规级可靠性认证（IATF 16949）、医疗级卫生许可、ISO9001质量管理等资质体系，构建覆盖技术、工艺、品控的立体化护城河。
03、生态化战略布局
优炜芯提出 "1+N" 产业矩阵 —— 以深紫外芯片技术为核心，横向拓展智能家电、水处理、新能源汽车、医疗美容等N个应用场景，联合美的、海尔等头部企业推动技术标准共建与场景化方案落地；纵向基于十余年国际领先的AlGaN紫外LED研发积累和产业化经验加持，快速导入到新兴产品的研发和应用市场布局，成为公司营收新的第二增长曲线。
三、应用场景拓展
从实验室到千亿级市场
作为国内唯一从事全波段、全产业链紫外半导体芯片的高科技企业，优炜芯科技的核心产品性能卓越，凭借深厚的技术积累与持续创新，广泛应用于多个关键领域。
新能源汽车：紫外LED固化技术可生成耐压3000-4000V的绝缘保护膜，解决800V高压电池蓝膜耐击穿难题。
5G通信：紫外光源使光纤拉丝速度提升50%，能耗降低70%，寿命达30000小时（传统汞灯的10倍）。
公共卫生：通过破坏微生物DNA/RNA结构，实现对H3N2流感病毒、大肠杆菌等的高效消杀，替代氯消毒与臭氧方案。
消费与医疗：布局空气/水净化、表面消杀、医疗美容及植物工厂照明等场景，2030年车载杀菌模组市场规模预计突破百亿元。
四、从中国“芯”到全球“链”的跨越
随着《水俣公约》全面禁汞（2026年）临近，全球200亿美元汞灯替代市场加速释放，优炜芯科技即将开启新的技术长征。
从光谷的实验室到全球产业舞台，优炜芯科技用紫外光编织着健康与可持续发展的未来。正如董事长陈长清教授所言："我们不仅仅是在制造半导体器件，更是在用光的力量重构人类与环境的共生关系。" 当紫外LED成为全球汞灯替代的核心方案，当中国半导体技术在新兴赛道建立标准话语权，企业的成长轨迹，正印证着中国科技从 "跟跑者" 到 "生态构建者" 的质变。在 "双碳" 与 "健康中国" 的国家战略中，优炜芯正以光为笔，绘制属于中国先进半导体的星辰大海。
评论
文明上网理性发言，请遵守新闻评论服务协议
登录参与评论
0/1000