据悉,三星电子继平泽工厂之后,已制定计划在华城工厂建设1c DRAM(第6代10nm级DRAM)量产线,预计该项投资最早将于今年年底完成。
1c DRAM也是将应用于三星电子“HBM4(第六代高带宽存储器)”的关键产品。有分析认为,三星电子在最新HBM的商业化上遇到困难,目前正表现出积极的量产意愿。
据业内人士22日透露,三星电子计划今年下半年于华城市和平泽地区投资增加1c DRAM产能。
今年早些时候,三星电子开始在其平泽第四园区(P4)建设第一条1c DRAM量产线。当时投资规模较小,规划产能为每月3万片。目前三星电子正在商谈追加投资,扩大今年下半年P4工厂的1c DRAM产能。预计规模至少达到每月4万片。
三星电子华城17号线是一条主要生产1z(10纳米级第三代)DRAM的生产线。DRAM属于传统工艺,产量正在快速减少。三星电子已投资将1b DRAM转换为位于附近华城市的15号和16号生产线。
三星电子决定在其华城和平泽工厂具体化1c DRAM投资计划,这反映出其对提高产量的信心。
1c DRAM是三星电子计划最早在今年年底量产的最新一代DRAM。这种DRAM对三星电子如此重要的原因在于其在HBM领域的领导地位。与SK海力士和美光等主要竞争对手为HBM4采用1b DRAM不同,三星电子决定为HBM4应用1c DRAM 。(校对/李梅)
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