据香港券商最新报告，三星电子2025年6月未能通过第三次英伟达12层HBM3E芯片认证。这家科技巨头目前计划于9月进行第四次认证。

三星最新的认证工作未能达到英伟达的标准，这为其进入下一波AI工作负载HBM供应的时间表带来了进一步的不确定性。尽管三星提前提升了HBM3E的产量，但由于未能获得认证，其供应计划被推迟。

与此同时，美光科技似乎正取得新进展。美光公司利用韩美半导体的热压键合（TCB）设备，提高8层和12层HBM3E芯片的良率。12层HBM3E芯片的良率已达到70%，而8层HBM3E芯片的良率则达到75%。

瑞银集团近期还报告称，三星12层 HBM3E的认证仍处于“待决”状态，并预测该公司向英伟达的供货可能会推迟到2025年第四季度。由于英伟达等AI芯片制造商需要更快、更高效的内存解决方案，此次挫折可能会改变竞争激烈的HBM市场格局。

美光近期宣布，已向主要客户交付其第六代HBM4样品，用于AI半导体。这使得美光成为继SK海力士之后第二家交付HBM4样品的DRAM制造商，SK海力士于2025年3月开始交付HBM4样品。

与此同时，由于各大科技公司定制化AI芯片的量产延迟，瑞银已调整HBM的市场需求预期。该公司目前预测，2025年全球HBM需求量将达到1630亿GB，低于此前预估的1890亿GB；并预计2026年HBM需求量将达到2540亿GB，略低于此前预测的2610亿GB。（校对/赵月）