天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“12寸退火片的制造方法”专利公布，申请公布日为2024年7月16日，申请公布号为CN118345511A。

本发明涉及一种12寸退火片的制造方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用切克劳斯基法拉制单晶，用相对高拉速拉制晶棒，拉速＞0.5mm/min。第二步：拉制成型的单晶进行切片、研磨减薄、抛光和洗净的工艺生成硅片。第三步：抛光硅片进行退火处理，退火炉退火温度为1200℃，退火时间为1～3小时，退火氛围增加氢气和氩气混合气。第四步：硅片经过退火处理后，SIMS显示表层氧含量显著降低，结合颗粒测试仪SP7，激光扫描图像LST测试证明得到了表层洁净区。具有操作便捷和工艺稳定性好的特点。解决了近表层氧去除量不够干净和容易引起栅氧化层失效的问题。实现降低硅片表层氧含量，得到了表层洁净区，改善芯片制造过程中的GOI失效。