华虹宏力“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利获授权

作者：爱集微 4小时前

来源：爱集微 #华虹宏力#

4422

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年8月22日，申请公布号为CN119133216A。

本发明提供一种肖特基集成的超级结器件，包括衬底，在衬底上形成N型的外延层，在外延层上形成有P型柱，P型柱和P型柱之间的区域为交替排列的超级结MOSFET形成区域；超级结MOSFET，在超级结MOSFET中并联集成由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，其中，超级结MOSFET为分栅结构，分栅结构之间预留有空白空间作为肖特基接触区；沟槽栅结构和P型柱之间的外延层上形成有阱区，在阱区上形成有阱接触区和源区；肖特基金属层；肖特基二极管的阳极位于肖特基接触区的肖特基金属层上，肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的超级结MOSFET的漏电极。本发明无需额外注入即可形成肖特基结构，可以避免辐照工艺对器件造成的不良影响。