天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“CMOS图像传感器的制造方法”的专利，授权公告号为CN114242742B，授权公告日为2024年12月6日，申请日为2021年12月16日。

本发明公开了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：步骤一、在栅极结构的侧面形成侧墙，包括：沉积第一介质层；对第一介质层进行侧墙刻蚀工艺，由保留在各栅极结构的侧面的第一介质层自对准形成侧墙；在侧墙外保留有第一厚度的第一介质层；步骤二、在感光二极管的形成区域中进行第二导电类型重掺杂的离子注入以形成针扎层，针扎层的离子注入会穿过第一介质层，利用第一厚度防止针扎层的离子注入对半导体衬底表面产生损伤；步骤三、进行侧墙刻蚀后清洗工艺，第一介质层会产生损耗并减少为第二厚度；步骤四、进行源漏注入形成对应的源漏区。本发明能减少CMOS图像传感器的白点，同时不影响源漏注入工艺且不会增加工艺成本。