天眼查消息显示，近日，上海华虹宏力半导体制造有限公司取得一项名为“沟槽栅的制造方法”的专利，授权公告号为CN114220734B，授权公告日为2024年12月10日，申请日为2021年12月13日。

本发明公开了一种沟槽栅的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽。步骤二、形成第一氧化层，第一氧化层形成后需要使沟槽的顶部保持为开口状态。步骤三、沉积第二介质层，第二介质层形成后需要使沟槽的顶部开口封闭并在沟槽内部形成一个被第二介质层所包围的空腔。步骤四、对所述第二介质层进行第一次回刻将空腔外暴露的第二介质层去除且保证空腔顶部封口处的第二介质层保留。步骤五、以空腔周侧的第二介质层为掩膜对第一氧化层进行从顶部到底部的第二次刻蚀以形成栅极底部氧化层。步骤六、去除第二介质层。步骤七、进行栅氧化层的生长。本发明能简化BTO的形成工艺，从而能降低工艺成本。