天眼查显示，比亚迪半导体股份有限公司“功率器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年12月31日，申请公布号为CN119230590A。

本发明公开了一种功率器件及其制备方法。该功率器件包括衬底；第一导电类型的外延层，设置在所述衬底上，所述外延层上设有有源区和设置在所述有源区外围的终端区；第二导电类型的第一注入区，所述第一注入区包括主结，所述主结设置在所述终端区靠近所述有源区的位置；第一防击穿结构，包括分压深凹槽和场氧化层；所述分压深凹槽设置在所述主结之外的终端区内，所述分压深凹槽的槽深大于所述主结的结深；所述场氧化层填充在所述分压深凹槽内并延伸至所述分压保护区外覆盖所述分压深凹槽的表面。该功率器件具有保障其防击穿效果，制备工艺简单，成本较低的优点。