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三星电子计划在1d nm传统结构内存后导入VCT DRAM技术

作者: 集小微 04-28 21:12
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来源:爱集微 #三星电子# #dram内存# #vct技术#
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据最新消息,三星电子已经制定了在第7代10nm级DRAM内存工艺1d nm后导入VCT垂直通道晶体管技术的路线图。有望在未来2到3年内,相关产品将面世。在这个过程中,三星电子曾经在1d nm后的下一代DRAM工艺中,考虑过1e nm和VCT DRAM两种选择,最终选择了后者。

在选择新的DRAM工艺方向上,三星电子进行了深入的研究和对比。在1e nm和VCT DRAM两种选择中,三星电子最终选择了VCT DRAM技术。这是因为,相比1e nm,VCT DRAM技术在性能和效率上更具优势。为了加快VCT DRAM技术的研发进度,三星电子甚至将1e nm的先行研究组织合并到1d nm团队中,以推进1d nm的开发。

据了解,VCT DRAM技术是一种新型的DRAM技术,它采用垂直通道晶体管结构,可以实现更高的存储密度和更低的功耗,是未来DRAM内存技术的发展方向。

责编: 姜羽桐
来源:爱集微 #三星电子# #dram内存# #vct技术#
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