泛林半导体、科罗拉多大学博尔德分校（University of Colorado Boulder）及美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的研究团队，最新研究取得了重大突破，他们成功开发了更快速精准的等离子蚀刻制程，将3D NAND深孔蚀刻速度提升了一倍以上，这为更高密度、更高容量的储存装置奠定了基础。
据调研数据显示，该团队通过精确化学成分调整，利用氢氟化等离子体取代传统氢气和氟气组合，显著提升了蚀刻效率与精度。在蚀刻氧化矽、氮化矽交替层时，蚀刻速率从每分钟310奈米提升至640奈米，提升超过一倍，蚀刻品质同步提升。
此外，研究团队还探讨了三氟化磷（PF3）在二氧化矽蚀刻中的作用，发现添加PF3可将二氧化矽蚀刻速率提高四倍，但对氮化矽影响较小。这项突破性研究不仅革新了3D NAND制造技术，也为未来高密度、高容量资料储存开辟了道路。
根据市场现状，随着人工智慧、物联网等技术驱动数据量呈指数级增长，对更快速、高密度资料储存方案的需求日益迫切。3D NAND快闪记忆体以其垂直堆叠单元、最大化空间利用的优势，已成为未来储存的关键方向。
未来预测，这项研究将推动电子设备发展，并为人工智慧、大数据等技术应用提供更强大的基础设施。同时，也有望进一步推动3D NAND技术的广泛应用和市场需求的增长。
