据韩媒etnews报道，SK海力士已将其第六代高带宽存储器“HBM 4”的测试良率提升至70%。
据业内人士近日透露，SK海力士近期在HBM4 12层测试中实现了70%的良率。
一位知情人士表示：“HBM4的测试良率在去年年底就超过了60%，据我了解，最近又进一步提高。测试良率正在以相当快的速度增长。”
测试产量是未来实际产量的指标，高测试良率确保了进入实际量产时的生产效率。
一位业内人士评价称，“测试良率达到70%已经是一个非常好的成绩，量产后良率还可以进一步提升。”
据悉，SK海力士在HBM4 12层技术测试中对每项制造工艺都设定了高标准，以90%后期的可靠性标准来提升良率。
SK海力士还已将10nm第五代DRAM“1b”应用到12层HBM4上，据了解，其性能和稳定性已得到验证，易于稳定良率。1b已应用于其HBM3E产品。
SK海力士去年曾通过媒体宣布，HBM3E良率已达到80%的目标，并且量产所需时间缩短了50%。
基于此，预计12层HBM4也将快速转入量产。一旦完成技术开发和当前测试的评估，SK海力士将制造并提供样品，如果它们通过客户性能评估，就将进入大规模生产。
报道称，就HBM4 12层而言，它很可能搭载于英伟达下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”系列。Rubin最初计划于明年投入量产，但有预计最早将于今年下半年实现量产。这也被解读为SK海力士试图快速稳定12层HBM4测试良率的原因。
对此，SK海力士相关人士表示：“HBM4 12层测试良率无法外部透露，HBM4按计划正在开发中。”
